离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化 摘要:半导体器件制备过程中,SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭 ... 大小：73.54KB | 2020-12-30 11:14:07
