NTD4810NT4G的技术参数
产品型号:NTD4810NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):54通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:30V,54A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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