元器件应用中的MOS管的I V特性研究

MOS管的特性也能用和双极型晶体管一样的I-V曲线来说明。图1.25中画的是增强型NMOS的典型曲线。这些曲线中source和backgate是接在一起的。纵坐标衡量的是drain电流ID,而横坐标衡量的是drain对source的电压VDS。每条曲线都代表了一个特定的GATE对SOURCE电压VGS。图1.21中是相似的双极型晶体管的特性曲线,但是MOS管的曲线是通过调节GATE电压得到的,而双极型晶体管的曲线是通过调节基极电流得到的。740)this.width=740" border=undefined>图1.25 NMOS晶体管的典型I-V曲线。 drain对source电压比较低时,