元器件应用中的MOS管被静电击穿的原因分析

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。 静电击穿有两种方式; 一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路; 二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。 现在的mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试,基本上摸一个挂一个。 与干燥的北方不同,南方潮湿不