元器件应用中的绝缘栅型场效应管(MOS管)

1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样,有N沟道和P沟道两种类型,每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图中(a)为增强型,(b)为耗尽型。这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N区,引出的电极即为源极和漏极。当UGs=O时,漏源极已存在导电沟道的,称为耗尽型场效应管;必须在|UGS|>0的情况下才能形成导电沟道的,称为增强型场效应管。