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元器件应用中的V MOS场效应管

上传者: 2020-11-26 20:46:10上传 PDF文件 101.97KB 热度 20次
1.V-MOS场效应管的结构 V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻蚀技术,刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出,源极及栅极在V形槽的两个臂上制成。 当给源极和漏极间加上电压UDS,若栅极电位为零或负,由于PN结反向偏置,漏极与源极间没有电流流过,ID=O;当栅极接大正电压时,由于电荷感应,在 P-型区感应出电子,由于电子的积累,形成了N型沟道。该沟道连通了N+型区和N-型区,在源极和漏极之间便产生了电流,电流的大小取决于栅极上正电压的大小。 N沟道增S虽型V-MOS场效应管结构示意图
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