为了说明杂质在两种材料的界面的扩散的过程,首先研究两个半无限的SiO2和Si在界面处的扩散,如图图3.3所示。假设杂质在SiO2中均匀分布,初始浓度为N0,在Si中的浓度为0,可以得出杂质在二氧化硅中的分布[12]: 图3.3 SiO2和Si的半无限扩散模型 在界面附近,杂质浓度大大减小,并且不随时间变化。由于杂质在不同的材料中杂质的扩散系数相差很大,杂质在Si中扩散比在SiO2中扩散快得多,使通过界面进入硅中的杂质很快扩散到更大的范围内,导致了杂质在硅中的浓度下降。同时,硅中杂质浓度的下降又引起了杂质在界面附近的二氧
