SiO2的制备方法

热氧化法干氧氧化水蒸汽氧化湿氧氧化干氧-湿氧-干氧(简称干湿干)氧化法氢氧合成氧化化学气相淀积法热分解淀积法溅射法 干法氧化通常用来形成栅极二氧化硅膜,要求薄、界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较 厚的SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应时,Si 表