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SiC热氧化SiO2的红外光谱研究

上传者: 2020-02-27 14:31:40上传 PDF文件 464.25KB 热度 33次
SiC热氧化SiO2的红外光谱研究,田晓丽,龚敏,SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷,影响SiO_2层的质量、SiO_2/SiC界面及SiCMOS器件的击穿特性。本文采用红外光谱技术研�
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