SiC热氧化SiO2的红外光谱研究

Name: SiC热氧化SiO2的红外光谱研究
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Author: hhhhjjhh

上传者：hhhhjjhh 2020-02-27 14:31:40上传 PDF文件 464.25KB 热度 54次

SiC热氧化SiO2的红外光谱研究，田晓丽，龚敏，SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷，影响SiO_2层的质量、SiO_2/SiC界面及SiCMOS器件的击穿特性。本文采用红外光谱技术研�

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