硅 硅直接键合单项工艺的发展

在过去的20年中,硅-硅直接键合技术得到了迅速的发展,并且硅-硅直接键合技术的发展也是伴随着各项单项工艺和应用的不断发展而发展的。硅-硅直接键合技术的单项工艺的发展主要在活化处理的方法和条件以形成良好的预键合硅片和退火处理工艺以得到符合各项要求的键合硅片。在活化处理方法上,提出了H2SO4和H2O2溶液、RCA1溶液、RCA2溶液液和氩气或氧气等离子体活化和三步处理活化工艺[19~21],这些都在键合工艺上得到应用。在退火工艺上,退火温度从1000°C到1200°C高温退火到的低温退火键合技术[22],从1大气压下退火到低压退火。 低温真空键合技术也是键合技术发展的一个新的趋势。硅片直接键合前用等