MGSF1N03LT1G的技术参数

产品型号:MGSF1N03LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145最大漏极电流Id(on)(A):2.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.60