MGSF2N02ELT1G的技术参数 上传者：dabafa 2020-12-13 07:15:12上传 PDF文件 25.98KB 热度 28次 产品型号:MGSF2N02ELT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):115最大漏极电流Id(on)(A):2.800通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:2.8A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.60 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
