退火温度对Mg掺杂GaN影响研究
退火温度对Mg掺杂GaN影响研究,陈圣昌,李洋,利用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(001)衬底上采用高温AlN缓冲层外延生长了Mg掺杂p-GaN。研究了750℃到850℃不同退火温度对GaN薄膜的�
下载地址
用户评论