MTB30P06VT4G的技术参数

产品型号:MTB30P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:P沟道封装/温度(°C):3D2PAK/-65~175描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥11.80