三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类:(1)薄膜成长,(2)微影罩幕,(3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类:(a)高温炉管,(b)微影机台,(c)化学清洗蚀刻台,(d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对应(1)~(3)制程,而新近发展的第(d)项机台,则分别应用于制程(1)与(3)。 由于坊间不乏介绍半导体制程及设备的中文书籍,故本文不刻意锦上添花,谨就笔者认为较有趣的观点,描绘一二! (一)氧化(炉)(Oxidation) 对硅半导体而言,只要在高于或等于1050°C的炉管中,如图2-3所示,通入氧气或水汽,自然可以将硅晶的表面予以氧化,生长
