英特尔开发出能显著降低关断状态漏电流的65nm工艺

瞄准用于电池供电系统的芯片,英特尔已经开发出一种能够显著降低关断状态漏电流的65纳米逻辑衍生工艺。 该公司位于俄勒冈的逻辑开发中心工艺架构与集成部门总监Mark Bohr表示,英特尔的标准65nm工艺P1264,主要针对要求最高导通电流的高性能系统,其中处理器可承受每微米100毫微安电流泄漏。在包括芯片组(用于移动系统和网络处理器)在内的低功率系统中,当器件处于关断状态时,IC可以处理1-10毫微安/微米(nA/micron)的泄漏。“对用于手机、PDA或其他小型手持式电池供电系统的超低功率芯片而言,这种新型65nm工艺所产生的漏电流为0.1nA/micron,比我们目前采用的高性能工