奇梦达开发出2位/单元65nm工艺存储元件

德国奇梦达(Qimonda)和法国Altis Semiconductor联合开发出了2位/单元的多值化65nm工艺MRAM存储元件。此次是首次使用微细存储元件对MRAM多值化的可能性进行实证。两公司在美国旧金山举行的“2006 IEDM”上发表了该存储元件(演讲序号:6.5)。 通过磁性层的磁化相对角实现4值 奇梦达开发的MRAM存储元件是被称为热选择(Thermal Select)型的产品,能比较容易地抑制消费电流随微细化增大。利用电流流经存储元件时生产的热量轻松反转存储层磁化方向的特性,从而减小了数据写入所需电流。 此次奇梦达试制了相当于65nm工艺的尺寸为70nm×140nm