本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET开关损耗 1 开通过程中MOSFET开关损耗 功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是:下面的开通过程对应着BUCK变换器上管的开通状态,对于下管是0电压开通,因此开关损耗很小,可以忽略不计。 图1 MOSFET开关过程中栅极电荷特性 开通过程中,从t0时刻起,栅源极间电容开始充电,栅电压开始上升,栅极电压为 其中:,VGS为PWM栅极驱动器的输出电压,Ron为PWM栅极
