电源技术中的Zetex新型高压P沟道MOSFET实现更小的有源箝位

Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装,极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的DPAK和SO8封装。 两款率先问世的微型器件包括5引脚SOT23型的ZXMP2120E5和4引脚SOT223型的ZXMP2120G4。为了阻止高压漏电的发生,Zetex特别加大了这两种封装的引脚间距。此外,在新型MOSFET的制造过程中,Zetex采用了低栅电容P沟道工艺,有效减少了切换瞬间的响声,实现了极低的噪声性能。 由于P沟道比N沟道电路更容易实现,因此ZXMP2120 MOSFET有助于设计人