电源技术中的IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET

国际整流器公司(International Rectifier,简称为IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET-IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V),据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648,其性能与两个并联的同类增强型SO-8器件相似。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72W增加15%。 IR中国及香港销售总监严国富