模拟技术中的低导通电阻MOSFET提升数据中心效率

飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件,它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)最小的MOSFET器件,而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。 通过*测,MOSFET器件的总体漏源导通电阻RDS(ON)是由芯片电阻和封装电阻构成的。这项参数非常重要的原因主要有两个:首先,因为它与功耗直接相关,其次,它决定了针对特定应用的硅器件的电流承载能力。在这种情况下,