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基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟

上传者: 2020-10-28 06:23:45上传 PDF文件 178KB 热度 12次
利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C—V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考。
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