基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟 上传者：zh_bx 2020-10-28 06:23:45上传 PDF文件 178KB 热度 25次 利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C—V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
