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In2Se3半导体材料的微结构与电学性能研究

上传者: 2020-08-23 03:10:59上传 PDF文件 307.01KB 热度 20次
In2Se3半导体材料的微结构与电学性能研究,张晓军,应鹏展,运用粉末冶金法对材料高温熔炼,当随炉冷却至860 K后放入冷水中淬火至室温得到了In2Se3样品,对样品粉末微观结构分析发现得到了预期�
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