基础电子中的8V N沟道TrenchFET功率MOSFET SiA436DJ

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。 SiA436DJ可用于智能手机、平板电脑,以及移动计算应用等便携式电子产品中