基于0.18μmH栅P Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文用Sentaurus TCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构,且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真,使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。