基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

导读:介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。 1.概述 功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的,它通过增加源漏横向距离提高器件耐压,从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子,消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点,但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差,容易烧毁,因此保护电路的设计非常重要,并且要求保护响应时间做到微秒级[2].功率MOSFET保护主