低压驱动RF MEMS开关设计与模拟

近年来射频微电子系统(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到广泛关注,特别是MEMS开关构建的移相器与天线,是实现上万单元相控阵雷达的关键技术,在军事上有重要意义。在通信领域上亦凭借超低损耗、高隔离度、成本低等优势在手机上得到应用。然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题,劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果,国内的研究尚处于起步阶段。