Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响 上传者：u949194896 2020-07-22 07:38:17上传 PDF文件 395.28KB 热度 17次 Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响，魏琳琳，孙志刚，采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%，在溶解度范围内，Ni含量的增加能促进薄膜粒子� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 立即下载 用户评论 发表评论 u949194896 资源：484 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
