等离子体增强化学气相沉积金刚石薄膜中基元过程的研究
等离子体增强化学气相沉积金刚石薄膜中基元过程的研究，汤凯，信裕，利用Gaussian03软件，在CCSD/6-311++G(d,p)水平上计算了等离子增强化学气相沉积金刚石薄膜中，以CH4/H2及引入卤素（F、Cl）为气源时，其气体�
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