阳极氧化SiO2退火工艺对硅光生少子复合的影响 上传者：quiwerty 2020-07-20 23:34:52上传 PDF文件 541.99KB 热度 69次 阳极氧化SiO2退火工艺对硅光生少子复合的影响，文都子，刘维峰，本论文采用电化学方法在绒面硅表面生长一层二氧化硅钝化层，在不同退火温度和时间下研究了硅的光生少数载流子复合过程。使用高频 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
