阳极氧化SiO2退火工艺对硅光生少子复合的影响 上传者：quiwerty 2020-07-20 23:34:52上传 PDF文件 541.99KB 热度 36次 阳极氧化SiO2退火工艺对硅光生少子复合的影响，文都子，刘维峰，本论文采用电化学方法在绒面硅表面生长一层二氧化硅钝化层，在不同退火温度和时间下研究了硅的光生少数载流子复合过程。使用高频 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 quiwerty 资源：423 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
