具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺 上传者：thmiao 2020-07-18 05:35:06上传 PDF文件 229.41KB 热度 42次 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺，李玉斌，王琦，本文采用电子束光刻技术及反应离子刻蚀技术在GaAs（100）衬底上制作了深宽比>1的（深宽比=槽深/槽宽）周期性的SiO2纳米槽。这种纳米图 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
