SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究
SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究，田晓丽，石瑞英，C元素的存在及其诱生的空位型缺陷影响SiC热氧化SiO2层的质量及SiC MOS器件的击穿特性。本文利用红外光谱研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2�
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