超深亚微米结构的实现

现在 ,超大规模集成 (VLSI )电路技术的快速发展 ,要求器件的尺寸随之缩小 ,通常所用的缩比理论 有准恒定电压理论 ( quasi - constant voltage theory, QCVT)和恒定电压理论 ( constant voltage theory, CVT)。根据这一理论 ,在缩小后的 MOSFET的沟道中将会产生很强的电场 ,从而很容易击穿栅介质。 在实际应用当中 ,器件的稳定性是衡量器件性能的一个重要指标 ,所以本文就超深亚微米 n -沟道 Si - MOSFET的栅介质击穿特性[ 1 ] 及相关参数进行分析 ,为今后有效应用小尺寸 MOSFET奠定基础。