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论文研究 ZnO薄膜晶体管的制备及电学特性表征 .pdf

上传者: 2020-07-17 19:03:46上传 PDF文件 978.66KB 热度 19次
ZnO薄膜晶体管的制备及电学特性表征,张贺秋,胡礼中,ZnO薄膜作为宽禁带的半导体材料,其迁移率较高,在可见光区具有高透射率,低的光灵敏度,使其适于制备ZnO薄膜晶体管,并在平面显示
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