论文研究 CdZnTe核探测器化学蚀刻和化学机械抛光的研究

碲化镉锌（CdZnTe）半导体可在室温下检测X射线和伽马射线而无需使用冷却系统。 化学刻蚀和化学机械抛光是在检测器器件制造过程中用于平滑CdZnTe晶片的工艺。 这些工艺减少了抛光晶片后留下的表面损伤。 在本文中，我们使用在过氧化氢和乙二醇混合物中的溴化氢溶液，比较了蚀刻和化学机械抛光对CdZnTe核探测器的影响。 X射线光电子能谱（XPS）用于监测晶片表面上的TeO2。 进行电流-电压和检测器响应测量以研究电性能和能量分辨率。 XPS结果表明，与化学机械抛光相比，化学蚀刻过程导致在探测器表面形成更多的TeO2。 检测器的电阻率约为1010Ω-cm。 化学机械抛光工艺比化学蚀刻工艺增加了更多的