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论文研究 LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究 .pdf

上传者: 2020-07-16 14:21:16上传 PDF文件 619.5KB 热度 19次
LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究,陈爱华,杨瑞霞,运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(L EC )生长出了3英寸富磷掺铁InP单晶。运用高分辨率X射线衍
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