论文研究 LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究 .pdf 上传者：houguof 2020-07-16 14:21:16上传 PDF文件 619.5KB 热度 51次 LEC法生长InP单晶结构与缺陷研究，陈爱华，杨瑞霞，运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体，并利用液封直拉法(L EC )生长出了3英寸富磷掺铁InP单晶。运用高分辨率X射线衍 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
