论文研究InSb量子点的LPMOCVD法生长特征 .pdf 上传者：weixin_39882200 2020-01-01 15:00:55上传 UNKONW文件 617KB 热度 43次 InSb量子点的LP-MOCVD法生长特征，陆晓欢，张彬，本文通过LP-MOCVD技术在GaSb衬底上外延生长高质量和高密度的InSb量子点，分析了一些影响InSb表面形貌的参数，如源流量、V/III相比、生长�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 weixin_39882200 资源：31108 粉丝：3 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
