论文研究SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究 .pdf 上传者：aishangjiajiaolaoshi 2020-01-30 05:11:26上传 PDF文件 285.01KB 热度 25次 SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究，徐伟，刘雪绞，近年来大直径SiC单晶体的生长是国内外研究的重点，SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表。物理气相传输法（PVT）是生 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 aishangjiajiaolaoshi 资源：19607 粉丝：2 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
