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PECVD沉积氮化硅薄膜应用研究.pdf

上传者: 2019-09-28 13:45:10上传 PDF文件 91.03KB 热度 34次
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN)薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN
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