与n沟道LDMOS兼容的低导通电阻掩埋电流路径SOI p沟道LDMOS

一种与高电压(HV)n沟道LDMOS兼容的新型低比导通电阻(R-on,R-sp)绝缘体上硅(SOI)p沟道横向双扩散金属氧化物半导体(pLDMOS)( nLDMOS)。 pLDMOS内置在N型SOI层中,而埋入的P型层在导通状态下用作电流传导路径(BP SOI pLDMOS)。 可以获得与HV nLDMOS和形成在N-SOI层上的低压(LV)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的卓越兼容性。 在关闭状态下,内置在N-SOI层中的P埋层会引起多次耗尽和电场整形,从而导致增强的(减少的)表面场(RESURF)效应。 所提出的BP SOI pLDMOS不仅实现了更高的击穿电压(BV),而且还显着降低了R-on,R-sp。 在相同的半单元间距为25μm的情况下,BP SOI pLDMOS的BV从常规SOI pLDMOS的215 V增加到319 V,R-on,R-sp从157 m Omega.cm(2)降低到55 mΩ.cm(2)。 与PW SOI pLDMOS相比,BP SOI pLDMOS还以几乎相同的BV将R-on,R-sp降低了34%。