Growth and characterization of Ndoped ptype ZnO films grown by low pressure plas 上传者：qq_78713 2020-02-27 14:29:03上传 PDF文件 300.37KB 热度 54次 MOCVD法以N2O射频等离子体掺杂技术生长高质量p型ZnO薄膜，杨天鹏，边继明，采用新型的低压等离子体辅助金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术，以N2O射频等离子体为掺杂源在（0001）蓝宝石单晶衬底上生长N掺杂Zn 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
