Growth and characteristics of La2O3 gate dielectric prepared by low pressure met 上传者：旮旯92186 2020-07-17 02:51:31上传 PDF文件 536.15KB 热度 41次 用MOCVD方法制备La2O3薄膜及其性能的研究，程进波，李爱东，本文主要介绍在硅衬底上用MOCVD方法生长La2O3薄膜。文中对薄膜的生长条件、界面性能及电学性能进行了研究。在600℃下生长的非晶La2O3薄 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
