Mg掺杂GaN快速热退火性质的研究

Name: Mg掺杂GaN快速热退火性质的研究
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Author: web_page_man

上传者：web_page_man 2020-02-18 20:02:34上传 PDF文件 440.84KB 热度 46次

Mg掺杂GaN快速热退火性质的研究，郭浩，宋世巍，利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石衬底上生长了Mg掺杂的GaN薄膜，并在氮气气氛下，不同的温度条件下对样品进行了快速热�

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