反应室气压对Mg掺杂GaN的影响

Name: 反应室气压对Mg掺杂GaN的影响
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Author: qq_96843

上传者：qq_96843 2020-03-17 14:27:06上传 PDF文件 451.29KB 热度 46次

反应室气压对Mg掺杂GaN的影响，朱铭，梁红伟，利用AixtronCCS金属有机化学气相沉积设备生长了Mg掺杂的GaN，通过对反应室内气压的调节，在150mbar,250mbar,400mbar和600mbar气压下，制备了四�

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