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PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究.pdf

上传者: 2020-07-17 04:12:18上传 PDF文件 192.83KB 热度 25次
对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅质膜.
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