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论文研究Effect of Post Thermal Annealing on the Optical Properties of InP/ZnS Quantu

上传者: 2019-09-20 07:05:22上传 PDF文件 1.1MB 热度 25次
退火对InP/ZnS量子点薄膜光学性质的影响,张博文,魏志鹏,本文通过热退火技术提高了InP/ZnS核壳量子点薄膜光学性能。在180℃下退火5分钟后,量子点薄膜的发光增强。通过变温和变激发光致发光(
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