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论文研究Chemical Bond Polaritydriven Memristive Effects in Ge2Sb2Te5 Films.pdf

上传者: 2019-09-08 23:24:18上传 PDF文件 509.16KB 热度 26次
化学键极性驱动的Ge2Sb2Te5薄膜忆阻效应,孙华军,谢松,本研究制备了基于Ge2Sb2Te5硫系化合物的忆阻器单元,忆阻器单元经过初始化操作后,忆阻功能材料Ge2Sb2Te5处于晶态和非晶态之间的中间状
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