Nginx URL自动加斜杠及301重定向问题解析

第一章专用量成电蹄艇述SRAM.也可以提供自行为级直到单元版图全部单元资源.采用宏单元方法比乘用标准单元方法设计的电路功能更强，芯片利用率高，设计周期也短。由于宏单元往往是比较成熟的功能电路块，使用宏单元实际上也是设计再利用(Rcusc)方法的体现。因此在VLSI和ULSI设计中，往往采用这种方法。基于单元的ASIC具有主要特性如下：IC所有掩膜层，包括晶体管和连线层都是特意设计的；宏单元块可以根据需要嵌入到IC版图中，与其它宏单元以及标准单元一起连线；万门级ASIC的设计周期大约为8周左右。

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基于门阵列的ASIC，门阵电路的基版（或称母版）结构是预先设计好的，示意图如图1.4。在基版上，由晶体管组成的基本单元以阵列形式排列，每个基本单元包含2至8个晶体管，基本单元行与行之间是布线通道。在基版四周是电路输入和输出的引脚（PAD）。从硅片的剖面来看，只有在顶部几层是金属层，由它们来规定门阵晶体管之间的连线，金属连线层是用掩膜方式来制备的。这种门阵类型通常叫做掩膜式门阵MGA (Masked Gate Array)，以此来与其它类型的门阵相区别。

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通常门阵电路的规模在几千门到几万门，近年来也出现几十万门的门阵。门阵的基本单元实际上是一组晶体管组成的。4管的CMOS电路的基本单元通常就是两组P型和N型的晶体管对管，它们在基版上规则地排成行和列。门阵电路的基版和单元版图数据是与工艺参数密切相关的。

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