具有逐步增加的铟成分的InGaN势垒的InGaN发光二极管的效率下降

Name: 具有逐步增加的铟成分的InGaN势垒的InGaN发光二极管的效率下降
Rating: 4.5 (67 reviews)
Author: freeyuan

上传者：freeyuan 2021-05-10 14:43:08上传 PDF文件 1.37MB 热度 67次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

具有逐步增加的铟成分的InGaN势垒的InGaN发光二极管的效率下降

具有逐步增加的铟成分的InGaN势垒的InGaN发光二极管的效率下降

大小：1.37MB | 2021-05-10 14:43:08
具有晶格匹配InGaN AlInN InGaN量子阱势垒的GaN基发光二极管的性能分析

本文对具有晶格匹配的InGaN / AlInN / InGaN(LM-IAI)量子阱(QW)势垒的G...

大小：790KB | 2021-03-22 01:46:35
InGaN GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究

设计了InGaN/GaN 超晶格垒层替代p-GaN 和n-GaN 附近传统GaN 垒层的InGaN/...

大小：514KB | 2021-02-09 04:19:45
具有p AlGaN InGaN超晶格末量子势垒的GaN基发光二极管的优势

数值研究了具有应变补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格(SL)和最后量子势垒(LQB)的GaN...

大小：961KB | 2021-05-01 02:49:39
基于差分载流子寿命分析的InGaN GaN发光二极管效率下降

基于差分载流子寿命分析的InGaN / GaN发光二极管效率下降

大小：1.01MB | 2021-03-22 01:46:50
n型势垒掺杂对InGaN发光二极管稳态和动态性能的影响

对n掺杂和非掺杂InGaN LED的稳态和动态特性进行了比较研究。仿真结果表明,n型掺杂的LED具...

大小：408KB | 2021-05-04 18:24:28
具有p AlGaN InGaN超晶格中间层的蓝色InGaN发光二极管的研究

蓝色InGaN发光二极管(LED) 提出并研究了采用晶格补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格(...

大小：640KB | 2021-03-27 01:04:27
InGaN基发光二极管光效下降效应研究进展

InGaN基发光二极管(LED)芯片大电流密度下效率的下降影响了其在功率型器件方面的应用,因此效率下...

大小：1.1MB | 2021-02-08 03:45:58
具有不同量子阱排列的InGaN基双波长发光二极管的发光特性

通过数值研究了优化的基于双波长InGaN的垂直发光二极管(LED)结构。模拟。结果表明,在有源区...

大小：904KB | 2021-04-18 07:01:40
量子阱数变化的InGaN GaN发光二极管的瞬态分析

建立了InGaN / GaN发光二极管(LED)静态和动态行为的速率方程模型,并在SPICE电路仿真...

大小：301KB | 2021-03-22 01:46:44
具有减少偏振的Chi多量子势垒的GaN基发光二极管的优势

通过数值和实验研究了以极化减少的chi多量子势垒(PR-CMQB)作为电子阻挡层(EBL)的GaN基...

大小：1.19MB | 2021-04-07 01:20:18
高性能半极性InGaN GaN绿色微发光二极管

高性能半极性InGaN / GaN绿色微发光二极管

大小：885KB | 2021-03-22 01:46:42
具有未掺杂的InGaN上波导层的InGaN基激光二极管的特性改善

在常规的基于InGaN的激光二极管的结构中,在p掺杂的区域中,特别是在p掺杂的上波导层中,存在相当大...

大小：512KB | 2021-05-11 20:01:32
温度对InGaN GaN多量子阱发光二极管光学性能的影响

温度对InGaN / GaN多量子阱发光二极管光学性能的影响

大小：1.41MB | 2021-04-07 07:03:11
紫外发光二极管的结构_紫外发光二极管技术特点

紫外发光二极管是指可发出波长约400nm的近紫外光的发光二极管（LED）。紫外光通常是用作识别钞票是...

大小：71KB | 2020-07-17 04:11:31
发光二极管

led

大小：0B | 2019-06-23 06:31:37