具有减少偏振的Chi多量子势垒的GaN基发光二极管的优势

通过数值和实验研究了以极化减少的chi多量子势垒(PR-CMQB)作为电子阻挡层(EBL)的GaN基发光二极管的优势。 仿真和实验结果均表明,与传统的单一AlGaN EBL或CMQB相比,具有PR-CMQB的LED具有更高的内部量子效率和光输出功率。 这些改善主要归因于电子泄漏的抑制和空穴注入效率的提高。 此外,当采用PR-CMQB时,效率下降明显减少。